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    擴散氧化爐

    擴散/氧化爐是半導體生產線重要工藝,擴散是在高溫條件下,利用熱擴散原理將雜質元素按要求的深度摻入硅襯底中,使其具有特定的濃度分布,達到改變材料的電學特性,形成半導體器件結構的目的??捎糜谥谱鱌N結或構成集成電路中的電阻、電容、二極管和晶體管等器件。氧化是將硅片放置于氧氣或水蒸氣的氛圍中進行高溫熱處理,在硅片表面形成氧化膜的過程,可作為離子注入的阻擋層及注入穿透層、表面鈍化、器件結構的介質層等。
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    產品描述
     
    設備特點
    ●可滿足閉管干氧氧化、濕氧氧化、氫氧合成氧化、擴散、退火常壓、退火/推進、合金等工藝
    ●采用高可靠性工控機+PLC模式,對爐溫、進退舟、氣體流量、閥門進行全自動控制,實現全部工藝過程自動化;
    ●具有友好的人機界面,用戶可以方便地修改工藝控制參數,并可隨時顯示各種工藝狀態;
    ●具有多種工藝管路,可供用戶方便選擇;
    ●具有強大的軟件功能,配有故障自診斷軟件,可大大節省維修時間;
    ●恒溫區自動調整,串級控制,可準確控制反應管的實際工藝溫度;
    ●具有超溫、斷偶、熱偶短路、工藝氣體流量偏差報警和保護功能; 
    ●可根據用戶要求定制產品。
     
    技術指標
    ●適用晶片尺寸 :  2~8英寸圓片
    ●工作溫度: 600℃~1300℃; 
    ●可配工藝管數量:1~4管/臺
    ●恒溫區長度及精度:≤±0.5℃/600~800mm (800℃~1300℃),
    ● 單點溫度穩定性:≤±0.5℃℃ /24h (1100℃); 
    ●溫度斜變能力:最大升溫速率20℃/min,最大降溫速率5℃/min; 
     
    應用范圍
      半導體集成電路、先進封裝、電力電子(IGBT)、微機械(MEMS)、光伏電池(Photovoltaic)制造等領域,適用2~8英寸工藝尺寸擴散、氧化、退火及合金工藝 
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