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    低壓化學氣相沉積設備( LPCVD)

    LPCVD是用加熱的方式在低壓條件下使氣態化合物在基片表面反應并淀積形成穩定固體薄膜。由于工作壓力低,氣體分子的平均自由程和擴散系數大,故可采用密集裝片方式來提高生產率,并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛用于半導體集成電路、電力電子、光電子及MEMS等行業。
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    產品描述
    設備特點
    ●溫度控制采用串級控制方式,對基片實際溫度進行實時智能控制。
    ●裝載采用SiC懸臂槳,避免了與工藝管磨擦產生粉塵。
    ●反應氣體分子送氣和族射送氣,避免氣相反應產生粉塵和改善均勻性。
    ●工作壓力閉環自動控制,提高工藝穩定性和重復性。
     
    技術指標
    ●基片尺寸:4,6,8英寸圓片
    ●工作溫度:500~900℃
    ●工藝管路:1~3管
    ●恒溫區長度:400mm~800mm
    ●控溫精度:±0.5℃
    ●極限真空度:<1Pa
    ●膜厚均勻性:Si3N4:±3%; Poly-Si:±4%; TEOS-SiO2:±3%
     
    應用范圍
      用于半導體器件、電力電子器件、光電子等行業氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制備
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